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        號院16號樓317

 (北京市地質工程勘察院院內)

        

射頻磁控濺射鍍膜裝置
射頻磁控濺射鍍膜裝置
產品型號:DH-RM-1
產品概述:

射頻磁控濺射鍍膜裝置 型號:DH-RM-1

 

主要用途:本設備主要用于大專院校研究和開發納米級單層膜;如各種硬質膜、金屬膜;也可以是非金屬、化合物等薄膜材料。可以進行直接濺射,亦可以實現反應濺射。

 

主要特點:結構簡捷、操作簡便,真空度維護高,安全可靠。

 

鍍膜機應安裝在干凈無塵埃、無腐蝕性氣體的室內,并具備清潔水源、及220V的穩定電壓等條件的地方。

1、地面的基本水平度要經過調整,不得高低不平;

2、環境溫度:10℃~30℃;

3、相對濕度:不大于75%

4、耗水量(進水溫度≤25℃,2.5Kg≥水壓≥1.5Kg):約0.2T/h

5、水質要求:

矽酸硬度<6度,PH值:78,電導率:200us/cm,沉積率:<200mg/L

6、電壓: 220V50HZ

電壓波動范圍: 198231V

頻率波動范圍:4951Hz;

7、水壓:0.31Kg/cm20.030.1MPa/cm2;

8、充入氣體純度99.9%或以上;

9、鍍膜用耗材純度99.9%或以上。

 

設備規格參數
1.1、濺射處理室:
       1、鐘罩:內徑225mm×高度260mm;
       2、試樣臺:直徑80mm(最大);
       3、試樣旋轉:靜止;
       4、擋板:手動;
       5、襯底加熱器:不銹鋼加熱器(DC24V);
       6、襯底溫度范圍:室溫~200℃;
       7、襯底可調距離:20mm~60mm;
       8、濺射室極限真空:0.5Pa
1.2、真空系統:
       1、抽氣系統:由機械泵組成的一級真空系統;抽氣速率:4升/S
       2、真空檢測:電阻真空計、電阻規;
       3、常用真空度:1~20Pa
       4、操作:手動
1.3、濺射電源:
1、射頻電源:頻率13.560MHZ,功率:500W,用表指示;
2、阻抗匹配器范圍:(2.7~45)Ω-j(0~70)Ω; 
3、供電:AC 220V;
4、冷卻方式:風冷;
  1.4、 磁控靶:
1、靶材直徑:Ф50mm、 一個永磁靶;
2、靶材厚度:3~6mm;
1.5、進氣系統:2路轉子流量計進氣,
1.6、電源要求:AC 220V  50Hz  10A
1.7、氣體要求:氬氣--純度99.9%(樣品有特殊要求時使用高純)
1.8、冷卻要求:靶體水冷,濺射電源風冷
1.9、體積重量:體積:L550mm×W680mm×H1480mm;約120kg
 

 

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