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射頻磁控濺射鍍膜裝置/磁控濺射鍍膜裝置 型號；ZH21-HRM-1

可開設的實驗

1、掌握射頻磁控濺射法制膜的基本原理；

2、了解磁控濺射鍍膜儀的操作過程及使用范圍；

3、磁控濺射法制備金屬膜、半導體膜、化合物膜、介質膜等薄膜。

主要技術參數

    1、濺射鍍膜室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；有效尺寸：Φ220×H230mm³；

    2、濺射鍍膜室本底真空：≤1Pa；濺射腔極限真空：6×10^-1Pa；

    3、濺射靶：Φ50mm，濺射靶臺和濺射靶可調距離：20～60mm；

    4、基片加熱溫度可控范圍：室溫～300℃；

5、射頻源功率：500W，13.56MHz；

6、氣路系統：由兩路轉子流量計控制（可選配質量流量計）；

    7、真空系統：2XZ-4型旋片真空泵，抽氣速率：4L/S，單相220V交流電源供電；

    8、對過流過壓、斷路等異常情況進行報警，并執行相應保護措施；

    9、供電電源：AC220V，50Hz，整機功率2KW。

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