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1、概述

LT-1高頻光電導少數載流子壽命測試儀是參照半導體設備和材料國際組織SEMI標準（F28-75）及國家標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，硅單晶壽命測量ρ≥2Ω·cm，由于對樣塊體形無嚴格要求，因此廣泛應用于工廠的常規測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。

2、技術參數

（1）壽命測試范圍：5~10000μs；電阻率測量范圍：ρ≥2Ω·cm

 測電子級參雜硅單晶片（厚度小于1mm），電阻率范圍：ρ＞0.1Ω·cm（表面可能需要拋光處理）

 測量重復性誤差≤±20%

（2）光脈沖發生裝置

 重復頻率＞20~30次/s，光脈沖關斷時間：0.2~1μs，余輝＜1μs

 紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶），紅外光在硅單晶內穿透深度大于500μm如測量鍺單晶壽命需另行配置適當波長的光源

 脈沖電源：5A～20A

（3）高頻源 

 高頻振蕩源：石英諧振器；頻率：30MHz；低輸出阻抗，輸出功率＞1W

（4） 放大器和檢波器

 放大倍數約25倍，頻寬：2Hz～2MHz

（5）儀器配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶，亦可測豎放單晶橫載面的壽命

 可測單晶尺寸：

 斷面豎測：直徑25～150，厚度2mm～500mm

 縱向臥測：直徑5mm～150mm，長度50mm～800mm

（6）讀數方式：可選配載流子壽命專用測試軟件系統或專用數字示波器讀數，軟件系統測試操作簡單，點擊“測量”即可，自動保存數據及相應測試點衰減波形到數據庫，可進行查詢歷史數據和導出歷史數據等操作。